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上周台积电宣布2020年的资本开支是150到160亿美元，其中80%将投向先进产能扩增，包括7nm、5nm及3nm。这次说法会上台积电没有公布3nm工艺的情况，因为他们4月份会有专门的发布会，会公开3nm工艺的详情。
台积电的3nm工艺技术最终选择什么路线，对半导体行业来说很重要，因为目前能够深入到3nm节点的就剩下台积电和三星了，其中三星去年就抢先宣布了3nm工艺，明确会放弃FinFET晶体管，转向GAA环绕栅极晶体管技术。
具体来说，三星的3nm工艺分为3GAE、3GAP，后者的性能更好，不过首发的是第一代GAA晶体管工艺3GAE。根据官方说法，基于全新的GAA晶体管结构，三星通过使用纳米片设备制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多桥-通道场效应管），该技术可以显著增强晶体管性能，主要取代FinFET晶体管技术。
此外，MBCFET技术还能兼容现有的FinFET制造工艺的技术及设备，从而加速工艺开发及生产。
在2019年的日本SFF会议上，三星还公布了3nm工艺的具体指标，与现在的7nm工艺相比，3nm工艺可将核心面积减少45%，功耗降低50%，性能提升35%。
三星计划在2030年前投资1160亿美元打造半导体王国，由于在7nm、5nm节点上都要落后于台积电，所以三星押注3nm节点，希望在这个节点上超越台积电成为第一大晶圆代工厂，因此三星对3GAE工艺寄予厚望，最快会在2021年就要量产。
至于台积电，在3nm节点他们也大举投资，去年宣布斥资195亿美元建设3nm工厂，2020年会正式开工，不过技术细节一直没有透露，尤其是台积电是否会像是三星那样选择GAA晶体管或是会继续改进FinFET晶体管，这两种技术路线会影响未来很多高端芯片的选择。
三星想超车台积电？台高官回应回：无法比
南韩拼在3纳米超车台积电，对此，台湾科技负责人陈良基认为，南韩产业策略无法与台湾比，他说，南科是全世界上最领先的半导体聚落，且台积电5纳米已经量产，台湾半导体产业生态系称世界第一，而南韩单打独斗的发展策略无法比拟。
南韩政府提供大量资源，扶植三星电子发展晶圆代工产业，拼在3奈米就要超车台积电，陈良基分析，产业发展方面，南韩与台湾差异甚大，台湾的优势是靠打群架的方式成长，而南韩则是集中大企业集团，目前看起来，以产业的扩散力、能量而言，台湾走的比较稳健。
陈良基指出，台湾整体策略与南韩不一样，成效在科学园区更明显，南科现在是「全世界最领先的半导体聚落」，且台积电的5奈米今年已经量产，全世界没有人赶得上；此外，不论是3纳米、5纳米，绝不是单一一家半导体公司可以做得到，台湾靠的是整个产业生态系的成长。
陈良基说，台湾在半导体分工的封装测试也是世界第一，未来封测在半导体产业的角色只会越来越吃重，透过强力封装，将来异质整合与先进制程都具有同样重要性，而这样的产业生态系统，是南韩无法比的。
陈良基强调，半导体确实是台湾的「镇岛之宝」，科技部已经构思半导体人才与技术的战略，但各项跨部会事宜仍须等行政院协调核定；主要内容将建置多个「半导体创新研究中心」，设定不同优势型态，透过平台加强半导体人才培训，让群聚效应放大，充足人才供应链。
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