光刻机无疑是目前掣肘我国芯片产业的重要设备，制约了我国芯片生产环节的发展。想要制造更高精度制程芯片，离不开高精度光刻机。
近日有报道称，为推动EUV相关工艺制程进展，台积电到2021年底时，将累计拥有55台EUV光刻机。
可见高端光刻机的重要性。与即将坐拥55台EUV光刻机的台积电不同，身为中国大陆第一代工巨头的中芯国际，却迟迟等不到一台ASML光刻机。
在2018年，中芯国际便向ASML订下一台光刻机。然而，2018年、2019年ASML EUV光刻机总销量分别为18台与26台，却迟迟不给中芯国际发货。
不过，在没有高精度光刻机的情况下，中芯国际并没有放弃对更高制程工艺的追求。如今，中芯国际成功打破瓶颈，其第二代FinFET N+1工艺更是取得了进一步突破。
据悉，第二代FinFET N+1与台积电8nm工艺相当，与上代相比，面积与功耗分别缩减63%与7%，并且性能大增20%。
中芯国际官方已经表示，第二代FinFET N+1目前在客户导入阶段，并有望于2020年末进行小批量试产。也就说，明年中芯国际8nm芯片有望实现量产，这将推动我国芯片产业向前一大步。
同时，中芯国际第二代FinFET N+2也正在研制之中，相信不久后便会有新的进展。目前，中芯国际最领先的制程为14nm，在2019年第四季度时实现量产。到今年第一季度，14nm已经占据了中芯国际1.3%的比例。
随着中芯国际14nm产能的不断提高，这一比例还将进一步提升。根据此前计划，到2020年末，中芯国际14nm产能有望达到1.5万片晶圆/月。近两年来，随着国家对芯片产业重视程度的提高，中芯国际更是愈发受到瞩目。
近段时间，中芯国际不仅获得两大国家级基金共计160亿元的增资，并且成功上市。最终，中芯国际实现超计划募资532亿元。
其中，中芯国际将拿出213亿元建设14nm生产线，用以扩大产能。其余资金则将用于补偿流动资金、先进与成熟工艺研发项目储备资金。
在多方助力与中芯国际自身努力下，国产芯片有望迎来曙光。并且，中科院院长白春礼已经表示，将集中力量攻克光刻机等卡脖子难题。可以预见，接下来中国芯片产业将进步高速增长阶段。
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