预计三星电子今年wafer投入量基准，将计划投资每月达11万5000张的Memory设备。据推算，三星电子建设的中国西安2工厂和韩国平泽2工厂，设备投资金额预计将达到17兆韩元。
特别是，据分析，今年三星将对比DRAM，会在NAND Flash投资上更加集中。这主要是NAND Flash市场好转，加上想要进一步与竞争对手拉开距离。预计，全球最大规模Memory供应商，三星将进一步加强NAND Flash的攻势。
根据5日业内消息，三星电子预计今年在NAND Flash 上投资6万5000张(65K)、DRAM 5万张(50K)规模的设备。
预计，中国西安2工厂6万5000张规模的NAND Flash设备，平泽2工厂和平泽1工厂上分别3万张(30K)和2万张(20K)规模的DRAM设备。
西安2工厂，因生产目标，上半年已经开始搬入设备。三星除了采购新设备以外，也树立了从韩国京畿道将华城16Line的设备移设西安2工厂的计划。
平泽2工厂因下半年生产目标，预计将从2月开始搬入设备。目前正在生产的平泽1工厂，会在剩余空间上投资设备。
三星这样的设备投资规模，如果换算成金额，那么将达到17兆韩元。三星电子去年12月在透露西安2工厂第2阶段投资计划，表示将投入80亿美金。
这个第2阶段设备投资规模是6万5000张规模。与三星今年将在西安2工厂投入的设备规模相同。因此，今年西安2工厂的6万5000张规模的设备投资约80亿美金，DRAM 5万张约7兆3000亿韩元，所以整体今年三星电子的Memory投资规模预计将达到17兆韩元水平。
三星电子方面认为，今年Memory市场情况将得到好转。不断的完善平泽1工厂进行投资，也正式投资最新的西安2工厂和平泽2工厂。2018年下半年开始呈现下滑趋势的Memory行情，预计即将回升。三星电子在DRAM和 NAND Flash Memory市场上都排名第一。
特别是，相比DRAM，更集中于NAND Flash上的投资，引起关注。
半导体行业有关人员表示“据了解，最近三星的 NAND Flash库存恢复到了正常水平”，“三星方面应该是看好NAND Flash市场，而DRAM市场略显谨慎”。
目前有很多预测表示，今年全球Memory市场将脱离下滑趋势。根据韩国进出口银行海外经济研究所最近发刊的“2020年Memory半导体行业预测”报告，预计，2020年下半年，中低端5G智能手机的上市量将扩大与英特尔的新CPU的供应将推动智能手机和服务器用Memory的需求量。
三星电子方面针对Memory投资计划表示“规模和金额无法透露”。
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